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三星推128GB RAM内存芯片
2015-12-02 08:05
近期三星宣布将推出一款128GB的RAM内存芯片（上图），目标设备为企业服务器，使用了三星的硅通孔（through silicon via）制造技术，可以在更小的封装面积上集成更多的内存。
在这个内存芯片中，三星填进去了144个芯片，形成了36*4GB DRAM封装，每个封装中有4*8Gb芯片，得以获得128GB内存。三星称这款芯片“具有迄今DRAM模块中最大的内存容量和最高的能效比”，同时它的速度也很快，数据传输速度高达2400Mbps。
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