5月25日，三星发布了自己的发展路线图和部分项目的最新进展。三星正计划推出多种新工艺的能力，包括新技术节点、引入极端紫外光刻(EUV)以及三星全耗尽型SOI（即FDSOI技术），并表示将在2020年实现4nm工艺量产。
FD-SOI技术主要采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管，迄今为止，GlobalFoundries（格罗方德半导体股份有限公司）一直是其FDSOI认证的创始人，三星进攻该领域领业界备受关注。
目前，三星自主10nm芯片已应用在S8系列手机中，而从这张路线图中可以看出，风险生产是整个一年的目标，而路线图左侧和右边缘并不意味着什么。这很重要，因为在某些情况下，块的左边缘被读取为进程的开始，而右边则表示产品或进程已准备好完成。不同的代工厂意味着不同的东西，有时候，有时使用相同的短语。风险生产、批量生产和实际产品发布之间的时间间隔将根据有关产品和加速过程的变幻莫测而有所不同。据悉，三星计划在今年下半年试产8nm工艺，在2018年实现7nm工艺量产，2019年研发出6nm和5nm工艺，到2020年实现量产4nm工艺芯片。
当Intel指定在给定节点上进行批量生产时，通常会在1-2个月内启动部件，而当台积电、三星或GlobalFoundries宣布批量生产时，下线的芯片仍然需要进入各种设备，然后再经过制造商特定的评估和测试。这也许就是三星在去年10月宣布批量生产10nm SoC（系统级芯片）的原因，但是第一个在设备中使用SoC的是三星Galaxy S8（今年4月21日推出），前后经过6个月时间。
14nm LPU工艺节点是三星的第三代14nm技术，与早期的14nm工艺线相比，LPU节点的性能提高了15％。这种增量扩张是晶圆制造业务中的创新技术。此外，三星提到了EUV光刻与现有的氩氟化光刻（ArF）之间的区别。三星的8nm节点最后将扩展非EUV生产，严格地将性能提升在10nm以上。除此之外，三星认为，面罩计数和成本将会走高，无法证明非EUV技术的合理性，而任何未来非EUV节点的整体性能将会比公司计划的8nm更差。显然，如果EUV不及时推出，代工厂将尝试提出进一步扩展现有技术的方法。但三星已在非EUV光刻技术上进行了至少10年光景，同时采用多图案化和浸没式光刻技术来补偿EUV持续开发的困境。
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