与英特尔连同美光公司打造的3D XPoint相比，韩国闪存与DRAM芯片制造商三星的Z-NAND究竟表现如何？
Z-NAND为三星打造的优化型闪存技术，在本质上属于SLC（单层单元）配合定制化控制器共同构成的高速存储方案。
Optane的出现令Z-NAND无法继续保持沉默，而这场广泛的新一代存储技术竞赛也由此拉开序幕。
XPoint超越NAND闪存的优势之一，在于其拥有更低的访问延迟——读取与写入延迟皆为10微秒，相比之下NVMe SSD的读取延迟则高达110至120微秒。将延迟降低至十分之一自然是一项非常突出的竞争优势。
下面我们通过表格对Optane P4800X驱动器与三星的Z-NAND SZ985作出比较，且皆选择二者的插入卡形式以及类似的容量水平：
技术 | 容量 | 读取/写入 IOPS | 读取/写入带宽 | 使用寿命 | 读取/写入延迟 | |
Optane P4800X | 3D XPoint | 750 GB | 55万 | 2.4/2.0 GB每秒 | 41 PBW | 10/10微秒 |
SZ985 | SLC NAND | 800 GB | 75万/17万 | 3.2/3.2 GB每秒 | 42.7 PBW | 12-20/16微秒 |
SZ985的使用寿命结果计算自其每天30次全盘写入以及假定五年的整体质保周期。
相较于P4800X，这款三星驱动器拥有更高的随机读取IOPS，而随机写入IOPS的比较优势甚至更为明显。事实上，其在连续读取/写入带宽方面甚至达到了Optane这位对手的两倍半到三倍。
三星SZ985驱动器
如果我们的计算结果无误，那么二者的使用寿命基本相当，Optane的延迟水平略低于Z-NAND——但二者的差距并不算大。
Z-NAND驱动器的最差一项为20/16微秒读取/写入延迟，但在一般场景当中，这一水平仍然远远好于传统NAND闪存的110到120微秒。
三星公司建议将这款产品用于加速MongiDB等数据库的IO。而在对处家RocksDB键值存储库（属于MongoDB的一套后端）进行测试时，三星表示相较于原有三星PM1725a SSD（一款48层3D TLC NAND产品），其能够将数据吞吐量提升2倍，延迟则缩短至原本的一半。
而在被用于缓存Memcached与Fatcache时，其能够提升1.6倍的数据吞吐量提升，同样显著优于PM1725a。
这款产品未来能否获得成功，在很大程度上取决于其实际售价以及可用的软件支持选项。如果三星公司能够充分拉开与Optane之间的价格差距，提供可靠的产品供应并展现出良好的系统软件支持能力，那么其很可能大量夺取Optane的市场份额。根据我们的猜测，Z-NAND DIMM也可能成为三星公司新产品的理想发展方向——当然，前提是其能够获得服务器OEM厂商的支持，同时有能力搞定操作系统与系统软件方面的问题。
NetApp公司的Plexistor服务器存储级内存（简称SCM）加速项目目前正在测试中使用Optane与Z-NAND存储介质。英特尔/美光与三星之间正爆发一轮新的竞争，而结果目前尚无法断言。
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