PingWest品玩5月24日报道,昨天的Samsung Foundry Forum论坛上,三星直接宣布了5/4/3nm工艺技术。
其中,5nm LPE工艺相较于7nm LPP,会进一步缩小芯片核心面积,带来更低的功耗。
4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术,进步压缩芯片面积。
3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。