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三星宣布大规模生产第五代V-NAND闪存芯片

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2018-07-12 09:31

据外媒报道,三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR 4.0接口的产品,该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比,后者使存储的传输速度提高了40%。(环球网)

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