2017年3月，三星就其半导体制程工艺的现状和未来发展情况，发布了几份非常重要的公告。
三星表示，该公司有超过7万个晶圆加工过程都采用了第一代10nm FinFET工艺，未来这一数量还会继续增加，同时，三星还公布了未来的即将采用的工艺路线图。
另一方面，台积电表示采用其第一代10nm工艺的芯片将会很快实现量产。同时，在未来几年，台积电将会陆续推出几项全新的工艺，这其中就包括将在2019年推出的首款7nm EUV（Extreme Ultraviolet Lithography，极紫外光刻）工艺。
10nm: 三星还在不断推进
其实早在2016年11月，三星已经开始将10nm LPE制造技术应用到其生产的SoC中。这一制造技术与三星之前使用的14nm LPP工艺相比，将能够缩小30%的晶圆面积，同时能够降低40%的功耗或者是提高27%的性能（以同样的能耗）。到目前为止，三星已经用该技术加工量超过七万片晶圆，从这一过程中规可以大概估算出三星的技术（考虑到10nm的工艺生产周期为90天左右）。
除了以上产品之外，三星计划在2017年底量产采用第二代10nm工艺的芯片，也就是三星所说的10nm LPP工艺。未来，三星将会在2018年底推出采用第三代10nm工艺的芯片（10nm LPU）。去年，三星曾表示，10nm LPP工艺比现有的10nm LPE工艺提高了10%左右的性能，而10nm LPU工艺具体细节目前还一无所知。
但是我们可以肯定的是，10nm LPU工艺必然在性能，功耗和芯片面积上有所提升，但是具体在哪一方面会有巨大突破，目前还不甚明朗。随着这一工艺的出现，三星也将会和英特尔在14nm上推出三代不同的改进工艺一样，在10nm上推出三种不同的改进工艺。
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