三星已经决定在下一代旗舰级芯片组当中使用新的 LTE 基带，其最大下行速度可以达到 1.2 Gbps，而该芯片组将会用于明年的 Galaxy S9 系列之中。
三星的新基带通过了 6CA（载波聚合）、4x4 MIMO（多输入多输出）和 “高阶256 QAM（正交幅度调制）方案”的组合实现了这一速度，以最大化数据传输速率。三星表示，随着高质量的在线内容服务的增加，高性能的 LTE 基带的需求也在不断增加，具有 6CA 支持的 1.2Gbps 最大下行速度的 LTE 基带器凸显了三星在即将到来的 5G 时代的领先设计能力和行业排头位置。
据了解，目前的旗舰手机芯片组包括骁龙 835 和三星 Exynos 8895 所支持的下行速度为 1Gbps，所以新的 LTE 基带在速度上已经取得了非常明显的技术进步。值得一提的是高通公司的骁龙 X20 基带将于明年二月份推出，同样支持 1.2 Gbps 的最大下行速度，并搭载在高通的下一款芯片组当中。不过英特尔公司在蜂窝市场方面上似乎有些落后一步，英特尔在今年二月份公布了首款千兆（1Gbps）LTE 基带，而实际产品要等到今年晚些时候才正式推出，而这也会对英特尔的 PC 市场控制带来一些不利影响，毕竟微软等公司也将推出带有蜂窝功能的 PC。
Neowin 预计，如果三星能在预定的时间内正常推出 1.2Gbps LTE 基带的SoC，那么将有可能会率先使用在 Galaxy S9 的机型上。具体说明三星可能会在 MWC 2018 大会上进行公布。
;){kind=link}