三星第五代V-NAND，堆栈层数达到来96层，单核核心容量也达到来1Tb级别，虽然三星官方没有公布闪存类型，不过综合多家媒体爆料来看这是QLC闪存类型的。
NAND闪存涨价持续一年了，导致很多人选择SSD硬盘时更加保守，容量也多在128GB到256GB之间，不过NAND闪存技术一直在进步，早前西数、东芝首发来64层堆栈的3D NAND闪存，核心容量达到了512Gb，现在NAND老大三星又推出来更牛的第五代V-NAND闪存，单颗核心容量1Tb，96层堆栈，SSD可以轻松堆出128TB超大容量。
三星目前的3D NAND闪存主力是第四代V-NAND，64层堆栈，核心容量在256-512Gb之间，今年上半年已经大规模量产。现在发布的则是第五代V-NAND，堆栈层数达到来96层，单核核心容量也达到来1Tb级别，虽然三星官方没有公布闪存类型，不过综合多家媒体爆料来看这是QLC闪存类型的。
更多的堆栈层数及QLC类型使得三星新一代V-NAND闪存容量大幅提升，单颗核心就有1Tb，折合128GB，是目前最高水平的2倍，是主流256Gb容量的4倍，16核心封装的闪存容量可达2TB，2.5寸硬盘中可以轻松实现128TB容量，远远高过现有HDD硬盘容量水平。
不过三星首发的5代V-NAND闪存硬盘容量不会这么高，第一批产品容量为16TB，而且会用上NGSFF（Next Generation Small Form Factor）新一代小尺寸接口，也就是比现在的M.2接口更先进、小巧一些。
如果是做服务器存储，三星表示基于5代V-NAND闪存的1U机架可安装36个16TB硬盘，实现576TB总容量。
三星的5代V-NAND闪存以及NGSFF接口预计会在今年Q4季度问世，2018年才会正式量产。
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