此前,有消息称 苹果 今年发布的A12处理器已经量产,并且采用了台积电7nm制程工艺,7nm工艺将比10nm工艺在性能上提升20%,与此同时在功耗上还能降低40%,带来性能与效率的双重提升。三星 也宣布了其7nm LPP工艺制程 芯片 将会在2018年下半年投入量产。
与此同时,在刚刚召开的Samsung Foundry Forum(三星 工艺论坛)上,三星更是公布了三星在未来几年 芯片 的演进路线。宣布将进军5nm、4nm及3nm工艺,直逼物理的极限。其中,5nm LPE(Low Power Early,低功耗早期)工艺相较于7nm LPP(Low Power Plus,低功耗增强),会进一步缩小芯片核心面积,带来超低的功耗;4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinF ET(Fin Field-Effect Transistor,鳍式场效应晶体管)技术,进一步压缩芯片面积;3nm GAAE/GAAP(Gate All Around,环绕栅极)则采用了全新的MBCF ET(Multi Bridge Channel FET,多桥通道场效应管)技术,需要对晶体管底层结构进行重新设计,克服当前技术的物理及性能屏障,增强栅极的控制能力,使得性能大大提升